介质损耗值得影响因素：

表面影响

被试品的表面泄露对绝缘电阻影响很大，对tgδ的测量也同样如此，影响的程度与被试品的电容量有关。电容量较小的试品，当表面脏污受潮后表面泄露增加，回带来严重的影响，有可能引起误判断。因此，对小电容量的试品，必须注意消除表面泄露的影响；而对大电容量的试品，影响较小。测量中，应除去表面脏污，如遇空气湿度大时，应对表面采取必要的措施，但不宜加屏蔽环，否则将使电场分布改变，会得出错误的测量结果。

tgδ的综合（整体）值与个别值的关系

一般电气设备的结构是多个部件组成的。各部件的绝缘又是由不同绝缘材料构成的。因此，在对电气设备试验结果分析时，可如实地把设备的绝缘部件看成是由多个介质的等值电路串联、并联、及串并联组成的电路。这样我们所测得设备的tgδ值，实际上是各部件的等值电路组合后的综合值。经计算可得出：并联后的综合tgδ必然大于其中*小的，而小于其中*大的，一般可认为，综合tgδ主要代表并联各元部件中电容量*大者的介质损耗值；串联后的综合tgδ值介于元件中的*大与*小两个介质损耗角正切值之间，各元件的值相差不大时，他们都将接近于综合值，相差较大时，综合值主要反映串联元件中电容量*小者的介质损耗角正切值；串并联介质电路的综合tgδ值在两个元件的值之间。